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STPS5L25 : Schottky Barrier Low drop power Schottky rectifier. Very low forward voltage drop for less power dissipation and reduced heatsink Optimized conduction/reverse losses trade-off which means the highest efficiency in the applications High power surface mount miniature package Avalanche capability specified Single Schottky rectifier suited to switched mode power supplies and high frequency to DC converters. Low on-state voltage drop. It shortens the turn-off time. Advantages of IGBT over BJT: These are just some of the many differences. BJT stands for Bipolar Junction Transistor . Below is an image that shows the basic construction of the MOSFET. The main carriers are holes.

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